IGBT吸收电容

成品外观 国标体型代码 电气性能 特 点 用 途
 
MKP-HS
 
MKP-HS
 
MKP-HS
 
0.1~5.6μF
700V~3000V.DC
-40~85℃
 
1.塑料外壳封装,阻燃环氧树脂灌注
2.镀锡铜插片引出,方便IGBT各种孔距安装
3.耐高压,损耗(tgδ)小,温升低
4.自感(ESL)小,等效串联电阻(ESR)小
5.高脉冲电流,高dv/dt承受能力
 
1.IGBT缓冲吸收
2.广泛应用于电力电子设备中开关器件关断时的尖峰电压,尖峰电流吸收保护
 
MKP-RT
 
MKP-RT
 
MKP-RT
 
0.1~5.6μF
1000V~2000V.DC
-40~85℃
 
1.迈拉胶带封装,阻燃环氧树脂灌注
2.镀锡铜线轴向引出
3.耐高压,损耗(tgδ)小,温升低
4.自感(ESL)小,等效串联电阻(ESR)小
5.高脉冲电流,高dv/dt承受能力
 
1.IGBT缓冲吸收
2.广泛应用于电力电子设备中开关器件关断时的尖峰电压,尖峰电流吸收保护
 
MKP-HR
 
MKP-HR
 
MKP-HR
 
0.22~3μF
3000V~8000V.DC
-40~85℃
 
1.迈拉胶带封装,阻燃环氧树脂灌注
2.铜螺母轴向引出
3.耐高压,损耗(tgδ)小,温升低
4.自感(ESL)小,等效串联电阻(ESR)小
5.高脉冲电流,高dv/dt承受能力
 
1.GTO缓冲吸收
2.广泛应用于电力电子设备中开关器件关断时的尖峰电压,尖峰电流吸收保护
 
MKP-RS
 
MKP-RS
 
MKP-RS
 
0.1~8μF
700V~3000V.DC
-40~85℃
 
1.塑料外壳封装,阻燃环氧树脂灌注
2.镀锡铜线引出,体积小,安装简单方便
3.耐高压,损耗(tgδ)小,温升低
4.自感(ESL)小,等效串联电阻(ESR)小
5.高脉冲电流,高dv/dt承受能力
 
1.应用于电力电子设备中的串/并联谐振电路
2.广泛应用于电力电子设备开关器件关断时的尖峰电压,尖峰电流吸收保护

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